Zašto se aluminij koristi u poluvodičkim međusobnim povezanostima?
Aluminij je povijesno pogodovan za međusobno povezivanje zbog njegove dobre električne vodljivosti i kompatibilnosti sa silicijumom . lakše je odlagati i uzorkovati u usporedbi s drugim metalima poput bakra u ranim poluvodičkim procesima . aluminijskog oblika i ITS (ITS OHMIST PERFORMIST SILISTAL, KRESALNI Tehnike su ga učinile dominantnim do kraja 1990 -ih ., međutim, bakar ga je kasnije zamijenio za napredne čvorove zbog nižeg otpora .
Kako se aluminij taloži u proizvodnji poluvodiča?
Fizičko taloženje pare (PVD), posebno raspršivanje, glavna je metoda za taloženje aluminija . Ova tehnika osigurava jednolične tanke filmove s kontroliranom debljinom na silicijskim rezima . aluminij je često legiran s malim količinama silikona ili koprera (CVD) za strukture visokog aspekta omjera . Post-taloženje pojačava adheziju i smanjuje interfacijalne nedostatke .
Koji su izazovi korištenja aluminija u modernim poluvodičima?
Aluminij-ovo veće otpori u usporedbi s bakrama povećava kašnjenja RC u naprednim čvorovima . Elektromigracija-atomsko pomicanje pod trenutačnim uzrokom da se međusobno povezuje s vremenom . industrija je prebačena u bakar damascen za podred s tim problemima na adresu na adresu. Silicij može inducirati probleme pouzdanosti povezane s stresom . Unatoč tome, ostaje u upotrebi za naslijeđene uređaje i specifične aplikacije poput Bond Pads .
Zašto se aluminij još uvijek koristi za poluvodičke obvezničke jastučiće?
Aluminijski obveznički jastučići pružaju izvrsnu adheziju žicama za vezanje zlata ili bakra . formiraju nativni oksidni sloj koji štiti od korozije tijekom pakiranja . duktilnost aluminima pomaže u apsorbiranju mehaničkog stresnog utemeljenja {}. s njihovim postupkom i procesura Često zadržavaju aluminijske jastučiće za kompatibilnost pakiranja .
Kako aluminij djeluje s dielektričnim materijalima u čipsu?
Aluminijska reaktivnost zahtijeva slojeve barijere (e {.} g ., titan nitrid) kako bi se spriječilo difuziju u dielektrike . loša adhezija na silicijenski dioksid za ubojivanje za ubojivanje {3} {3} Interconects . Površinski tretmani poput čišćenja plazme poboljšavaju kvalitetu sučelja . Te su interakcije pokrenule prihvaćanje bakrenih/tantalum barijera u novijim tehnologijama .
